1、太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測(cè)表面制絨擴(kuò)散制結(jié)去磷硅玻璃等離子刻蝕鍍減反射膜絲網(wǎng)印刷快速燒結(jié)等具體介紹如下 一硅片檢測(cè) 硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池。

2、目前晶體硅電池絲網(wǎng)印刷最常見(jiàn)的流程是背銀印刷，背銀烘干，背鋁印刷，背鋁烘烘干，正銀銀刷，燒結(jié)刻蝕機(jī)試做蝕刻的跟印刷有毛關(guān)系，搞笑。

* 、前景不錯(cuò)，現(xiàn)在太陽(yáng)能電池應(yīng)用越來(lái)越廣，我國(guó)已是全球生產(chǎn)第一大國(guó)，且目前太陽(yáng)能電池生產(chǎn)大部分是采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，技術(shù)相對(duì)比較成熟了未來(lái)幾年內(nèi)，我國(guó)將大力開(kāi)展新能源的應(yīng)用，太陽(yáng)能發(fā)電市場(chǎng)將會(huì)在國(guó)內(nèi)迅速發(fā)展，其生產(chǎn)。

* 、擴(kuò)展太陽(yáng)能是一種清潔的可再生能源，以光伏效應(yīng)為基礎(chǔ)的太陽(yáng)電池有著美好的應(yīng)用前景，其中，絲網(wǎng)印刷太陽(yáng)電池的制作工藝在高效，低成本太陽(yáng)電池的研究和生產(chǎn)中有著重要的地位絲網(wǎng)印刷技術(shù)從本上世紀(jì)70年代開(kāi)始產(chǎn)生并發(fā)展。

* 、目前量產(chǎn)的薄膜電池以非晶為主，是氣相沉積工藝，電池的串聯(lián)結(jié)構(gòu)是靠激光刻劃完成的，不會(huì)用到絲網(wǎng)印刷還是晶體硅電池的生產(chǎn)會(huì)用的，多晶硅和單晶硅。

* 、Rs偏高時(shí)絲網(wǎng)印刷處理流程 在目今條件下，當(dāng)Rs串聯(lián)電阻與正常水平相比突然變大時(shí)，由于絲網(wǎng)印刷工序影響導(dǎo)致的可能性占有* 0%左右，且對(duì)絲網(wǎng)印刷的控制是最簡(jiǎn)便易行，最立竿見(jiàn)影的措施主要可以查以下幾個(gè)方面11號(hào)。

7、利用刮條擠壓絲網(wǎng)使絲網(wǎng)產(chǎn)生彈性形變，使?jié){料漏印到硅片上。

*、但掩膜層一般要在較高的溫度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特別對(duì)質(zhì)量較低的多晶材料，少子壽命縮短應(yīng)用該工藝在22* cm2的多晶硅上所作電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到1* * %掩膜層也可用絲網(wǎng)印刷的方法形成。

9、柵線的主要材料是銀，銀是非常好的導(dǎo)體，當(dāng)然可以把電流導(dǎo)出來(lái)了因?yàn)樘?yáng)能電池是需要陽(yáng)光照射的，若柵線布滿了電池片，可以想到的是電池沒(méi)有接觸陽(yáng)光的區(qū)域了而銀是導(dǎo)體，本身不產(chǎn)生電流，只有pn結(jié)的硅基材接收到陽(yáng)光才。

10、利用機(jī)械刻槽絲網(wǎng)印刷技術(shù)在100平方厘米多晶上效率超過(guò)17％，無(wú)機(jī)械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到1* ％，采用埋柵結(jié)構(gòu)，機(jī)械刻槽在1* 0平方厘米的多晶上電池效率達(dá)到1* *％ 1單晶硅太陽(yáng)能電池 目前單晶硅太陽(yáng)能電池的光電。

11、采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到* 0微米，高度達(dá)到1* 微米以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時(shí)間，單片熱工序時(shí)間可在一分鐘之內(nèi)完成，采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過(guò)1* ％。

12、然而，該電池結(jié)構(gòu)需要嚴(yán)格的對(duì)準(zhǔn)工藝實(shí)現(xiàn)金屬柵線與選擇性發(fā)射極的電接觸中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所萬(wàn)青研究組提出了一種交叉自對(duì)準(zhǔn)工藝，采用普通絲網(wǎng)印刷設(shè)備研制了高效率的晶體硅太陽(yáng)能電池常規(guī)晶硅電池工藝在經(jīng)過(guò)高溫。

1* 、單晶硅太陽(yáng)能電池的背場(chǎng)技術(shù) 單晶硅太陽(yáng)電池鋁背場(chǎng)的歐姆接觸影響其輸出特性，采用新的工藝技術(shù)降低電池的串聯(lián)電阻勢(shì)在必行隨著電池襯底厚度變得越來(lái)越薄，傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷工藝使鋁背場(chǎng)難以繼續(xù)發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)，探索硅片特征參量與。

1* 、加工太陽(yáng)電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼磷銻等擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行這樣就在硅片上形成PFONTN結(jié)然后采用絲網(wǎng)印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過(guò)燒結(jié)。

1* 、因此，必須對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF* 的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體等離子體是由帶電的。